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憶阻器單元基礎(chǔ)研究測(cè)試方案
2024-11-13
概述：
憶阻器英文名為 memristor, 用 符號(hào) M 表示，與電阻 R，電容 C， 電感 L 構(gòu)成四種基本無源電路 器件，它是連接磁通量與電荷 之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備 電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新 一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為 阻變存儲(chǔ)器 (RRAM)。
憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲(chǔ) (Nonvolatile memory)，邏輯運(yùn)算 (Logic computing)， 以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì) 算 (Brain-inspired neuromorphic computing) 等。 這 三 種 截 然 不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線，為發(fā)展信息存儲(chǔ)與處理融合的新 型計(jì)算體系架構(gòu)，突破傳統(tǒng)馮 ? 諾伊曼架構(gòu)瓶頸，提供了可行 的路線。
在憶阻器研究不斷取得新成果的同時(shí)，基于憶阻器的多功能耦 合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點(diǎn)。這些新型耦合器件包括： 磁耦合器件、光耦合器件、超導(dǎo)耦合器件、相變憶阻器件、鐵 電耦合器件等。
憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試
憶阻器研究可分為基礎(chǔ)研究、性能研究以及集成研究三個(gè)階段， 此研究方法對(duì)阻變存儲(chǔ)器 (RRAM)、相變存儲(chǔ)器 (PCM) 和鐵電 存儲(chǔ)器 (FeRAM) 均適用。
憶阻器基礎(chǔ)研究階段主要研究憶阻器材料體系和物理機(jī)制，以及 對(duì)憶阻器器參數(shù)進(jìn)行表征，并通過捏滯回線對(duì)憶阻器進(jìn)行分類。
憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試包括：直流特性、交流特性及脈沖特性測(cè)試。
憶阻器直流特性測(cè)試通常與 Forming 結(jié)合， 主 要測(cè)試憶阻器直流 V-I 曲線，并以此推算 SET/ RESET 電壓 / 電流、HRS、LRS 等憶阻器重要 參數(shù)，可以進(jìn)行單向掃描或雙向掃描。
憶阻器交流特性主要進(jìn)行捏滯回線的測(cè)試，捏滯 回線是鑒別憶阻器類型的關(guān)鍵。
憶阻器脈沖測(cè)試能有效地減小直流測(cè)試積累的焦 耳熱的影響，同時(shí)，也可以用來研究熱量對(duì)器件 性能的影響。由于憶阻器表征技術(shù)正向極端化發(fā) 展，皮秒級(jí)脈沖擦寫及信號(hào)捕捉的需求日益強(qiáng)烈。
泰克憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試方案
高性價(jià)比測(cè)試方案
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