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憶阻器單元基礎(chǔ)研究測(cè)試方案

2024-11-13

概述:

憶阻器英文名為 memristor,   符號(hào) M 表示,與電阻 R,電容 C, 電感 L 構(gòu)成四種基本無源電路  器件,它是連接磁通量與電荷  之間關(guān)系的紐帶,其同時(shí)具備  電阻和存儲(chǔ)的性能,是一種新  一代高速存儲(chǔ)單元,通常稱為  阻變存儲(chǔ)器 (RRAM)。

憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括:非易失存儲(chǔ) (Nonvolatile memory),邏輯運(yùn)算 (Logic computing), 以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)  (Brain-inspired neuromorphic computing) 等。      不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線,為發(fā)展信息存儲(chǔ)與處理融合的 型計(jì)算體系架構(gòu),突破傳統(tǒng)馮 ? 諾伊曼架構(gòu)瓶頸,提供了可行 的路線。

在憶阻器研究不斷取得新成果的同時(shí),基于憶阻器的多功能耦 合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點(diǎn)。這些新型耦合器件包括: 磁耦合器件、光耦合器件、超導(dǎo)耦合器件、相變憶阻器件、鐵 電耦合器件等

憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試

憶阻器研究可分為基礎(chǔ)研究、性能研究以及集成研究三個(gè)階段, 此研究方法對(duì)阻變存儲(chǔ)器 (RRAM)、相變存儲(chǔ)器 (PCM) 和鐵電 存儲(chǔ)器 (FeRAM) 均適用。

憶阻器基礎(chǔ)研究階段主要研究憶阻器材料體系和物理機(jī)制,以及 對(duì)憶阻器器參數(shù)進(jìn)行表征,并通過捏滯回線對(duì)憶阻器進(jìn)行分類。

憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試包括:直流特性、交流特性及脈沖特性測(cè)試。

憶阻器直流特性測(cè)試通常與 Forming 結(jié)合,  要測(cè)試憶阻器直流 V-I 曲線,并以此推算 SET/ RESET 電壓 / 電流、HRSLRS 等憶阻器重要 參數(shù),可以進(jìn)行單向掃描或雙向掃描。

憶阻器交流特性主要進(jìn)行捏滯回線的測(cè)試,捏滯 回線是鑒別憶阻器類型的關(guān)鍵。

憶阻器脈沖測(cè)試能有效地減小直流測(cè)試積累的焦  耳熱的影響,同時(shí),也可以用來研究熱量對(duì)器件  性能的影響。由于憶阻器表征技術(shù)正向極端化發(fā)  展,皮秒級(jí)脈沖擦寫及信號(hào)捕捉的需求日益強(qiáng)烈。

泰克憶阻器基礎(chǔ)研究測(cè)試方案

高性價(jià)比測(cè)試方案

泰克方案優(yōu)勢(shì) :

?  多種不同的配置方案,滿足不同的客戶需求

? 泰克中國(guó)具有本地研發(fā)團(tuán)隊(duì),滿足客戶定制化 的測(cè)試需求

? 泰克合作伙伴提供全部硬件系統(tǒng)集成

?  多家領(lǐng)先的憶阻器研發(fā)單位采用泰克測(cè)試方案